ROOT RIOT 24 cubes de culture – Growth Technology

Le Root Riot® est un petit cube qui sert de support aux boutures et à la germination des graines . Il est vendu ici dans un bac collecteur pouvant contenir 24 plants ou plants.

Dimensions du plateau : 31 x 20 x 5 cm

Dimensions de la casquette Root Riot : 3 x 3 x 5 cm

Root Riot® est naturellement dégradable

Il est constitué de matière organique compostée, ce qui lui confère une texture spongieuse. En conséquence, ce substrat Growth Technology maintient un rapport air-eau idéal pour une croissance saine et rapide des racines.

Root Riot® convient à la fois à la germination des semis et au repiquage . Il est facile à utiliser, pré-percé, propre et sans poussière.

Ces petits cubes sont spécialement inoculés de micronutriments et d'ingrédients biologiquement actifs pour nourrir les boutures et favoriser le développement de leurs racines.

manuel

Les cubes Root Riot® sont déjà humides dans leur coque. S'ils sont secs, humidifiez-les simplement à nouveau en les plaçant dans un récipient d'eau tiède, puis remettez-les sur le plateau et égouttez-les.

Ils doivent être spongieux et humides sans être saturés d'eau. Idéalement, les cubes doivent être conservés à température ambiante.

S’ils se trouvent dans un environnement chauffé, dans votre salle de culture ou en serre, leur séchage sera accéléré. Surveillez simplement l'humidité des cubes en appuyant dessus. Si l’humidité monte, tout va bien, sinon plongez-le soigneusement et égouttez-le.

Formation rapide des racines

Vérifiez la croissance des racines en retirant soigneusement le Root Riot® du bac, sans tirer sur la tige de la future plante, mais en retirant le cube en entier.

Si les boutures sont saines et bien traitées et que les conditions météorologiques sont idéales, les racines se formeront en quelques jours.

Lorsque les racines sont visibles, la nouvelle plante peut être plantée en pot ou, si elle est cultivée en hydroponie, dans de la terre ou un autre substrat.

Le sommet du cube doit être juste en dessous de la surface du substrat.